Simulation in situ par RHEED et photoémission de la reconstruction a2 (2x4) de InAs(001) avec la méthode de Monte Carlo cinétique

Abstract

L’épitaxie par jets moléculaires EJM (Molecular Beam Epitaxy en anglais) est une technique de croissance cristalline. Elle est utilisée de manière classique en homoépitaxie des composants III-V. L’avantage de cette technique de croissance est qu’elle est la technique la plus récente et la plus prometteuse par rapport aux autres techniques parce qu’elle repose sur le contrôle et la possibilité de suivre la croissance en temps réel grâce à l’utilisation in situ de l’intensité RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) et aussi elle permet un très bon contrôle des épaisseurs des couches très minces et avec une excellente qualité. Notre étude porte sur ce point qui est la modélisation et la simulation de la croissance épitaxiale par jets moléculaires particulièrement la homoépitaxie de InAs(001) en utilisant la méthode de Monte Carlo Cinétique (KMC) et la caractérisation in situ (en temps réel) par la photoémission et la diffraction RHEED.