Modélisation et simulation de la diffusion de l’antimoine dans le germanium

Abstract

Le germanium est un bon candidat pour remplacer le silicium dans les dispositifs microélectroniques avancés car la mobilité de ses porteurs de charge est plus élevée. Le but de ce travail est de mieux connaître le phénomène de diffusion des dopants dans le germanium qui est essentiellepour la fabrication des circuits performants, en modélisant et simulant la diffusion de l’antimoine dans le germanium. Nous avons modélisé la diffusion par le mécanisme lacunaire en prenant en comptela dépendance du coefficient de diffusion effectif de l’antimoine avec le carré et le cube de la concentration d'électrons libres. Par la résolution numérique de l’équation aux dérivées partielles de la deuxième loi de Fick par la méthode des différences finies, nous avons pu simuler les profils expérimentaux de la diffusion de l’antimoine dans le germanium à la température700°C. Ce qui montre la contribution des lacunes doublement et triplement chargés négativement dans cette diffusion, où le rapport de contributions dans la diffusion via les deux états de la lacune est .